日期：2022-09-15 18:08:38瀏覽量：18000
降低功耗，實(shí)現(xiàn)供電系統(tǒng)的小型化
A、小電機(jī)減速機(jī)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）摻雜技術(shù)既降低了1200V SiC-MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻，還讓其達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)（FOM）——1,450mΩ·nC。與采用傳統(tǒng)的硅絕緣柵門(mén)極晶體管（Si-IGBT）相比，用于供電系統(tǒng)的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了約85%。
B、小電機(jī)減速機(jī)通過(guò)降低鏡面電容（在MOSFET結(jié)構(gòu)中，柵極和漏極之間存在的雜散電容），與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可實(shí)現(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作，降低開(kāi)關(guān)損耗。
C、由于小電機(jī)減速機(jī)降低了開(kāi)關(guān)功率損耗，通過(guò)驅(qū)動(dòng)具有更高載頻的功率半導(dǎo)體，得以實(shí)現(xiàn)冷卻系統(tǒng)及周邊部件（如反應(yīng)器）的小型化和簡(jiǎn)單化，從而有助于降低整個(gè)供電系統(tǒng)的成本的尺寸。
小電機(jī)減速機(jī)有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101規(guī)格的型號(hào)，適用于各種應(yīng)用
A、 N系列1200V SiC-MOSFET產(chǎn)品包括符合美國(guó)汽車(chē)電子委員會(huì)AEC-Q101規(guī)格的型號(hào)，因此，該產(chǎn)品不僅適用于光伏系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用，也可用于電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器。
